TAS-BP (N2 Bottom Purge)

在 20nm 以下的工艺水平即必须采用 N2 Purge，否则随着线径越小 Wafer 就越容易氧化，将大大影响良品率。N2 Purge 功能可以助力您符合大势，发展中国半导体先进制造工艺。

TAS-BP (Bottom Purge) 为搭载 N2 Bottom Purge 功能的 TDK TAS-300 FOUP Load Port (Type E4/E4A/H1)。在原有的 Load Port 基础上添加强大的 N2 Purge 功能。搭载本功能后能将 N2/CDA 注入至 FOUP 内，以降低湿度及氧浓度来抑止 Wafer 污染和氧化。 

最新的一批 TAS-BP 于今日到货南京，欢迎莅临锐硕半导体展示空间参观。欲知详情请拨打热线电话：189-5206-4569